Numero di Prodotto del Fabbricante:
TSM60N1R4CH C5G
Product Overview
Produttore:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numero di Parte:
TSM60N1R4CH C5G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 3.3A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventario:
12898281
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TSM60N1R4CH C5G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Taiwan Semiconductor
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
370 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
38W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-251 (IPAK)
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
TSM60
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
TSM60N1R4CHC5G
TSM60N1R4CH C5G-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STU5N60M2
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
831
NUMERO DI PEZZO
STU5N60M2-DG
PREZZO UNITARIO
0.47
TIPO DI SOSTITUZIONE
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